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圖像翻轉(zhuǎn)烘箱,光刻圖形反轉(zhuǎn)設(shè)備

圖像翻轉(zhuǎn)烘箱,光刻圖形反轉(zhuǎn)設(shè)備

簡要描述:

圖像翻轉(zhuǎn)烘箱,光刻圖形反轉(zhuǎn)設(shè)備主要用于剝離過程,特別是在柔性電極、電極的制作以及其他一些MEMS器件工藝中。通過底切側(cè)壁形態(tài),可以防止沉積的材料在光刻膠邊緣和側(cè)壁上形成連續(xù)薄膜,有助于獲得干凈的剝離光刻膠結(jié)構(gòu)。

 圖像翻轉(zhuǎn)烘箱,光刻圖形反轉(zhuǎn)設(shè)備工藝原理:

    光刻圖形反轉(zhuǎn)是一種特殊的工藝,用于制作?半導體器件。在曝光結(jié)束后,光刻膠中的圖像與想要得到的圖像是相反的,即曝光區(qū)域在顯影后會形成孔洞而不是島區(qū)。這種工藝主要用于制作孔洞結(jié)構(gòu),通過改變曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域的相對分解率來實現(xiàn)。

圖像翻轉(zhuǎn)烘箱,光刻圖形反轉(zhuǎn)設(shè)備的應用:

    光刻圖形反轉(zhuǎn)工藝主要用于剝離過程,特別是在柔性電極、電極的制作以及其他一些MEMS器件工藝中。通過底切側(cè)壁形態(tài),可以防止沉積的材料在光刻膠邊緣和側(cè)壁上形成連續(xù)薄膜,有助于獲得干凈的剝離光刻膠結(jié)構(gòu)。

光刻圖形反轉(zhuǎn)設(shè)備的性能

尺寸(可定制)

內(nèi)腔尺寸:450寬×450深×450高(mm),外形尺寸:760×750×1500 (mm)

  材質(zhì)

內(nèi)箱采用SUS304不銹鋼,外箱采用優(yōu)質(zhì)冷軋板靜電噴塑

溫度范圍

RT+50-250℃

溫度分辨率

0.1℃

溫度波動度

≤±1℃

操作模式

人機界面

升溫速率

≤5℃/min

氣體

2路供氣

真空度

0.1~100KPa

電源及總功率 

AC220V±10% / 50HZ       總功率約2.8KW

溫度控制器

觸摸屏微電腦溫控器,可校準溫度,PID 自整定等功能

擱板層數(shù)

不銹鋼托盤2層

真空泵

渦旋干泵

腔門密封圈

采用耐高溫硅橡膠密封圈,密封圈采用一體成型無縫加工


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